NVMFD5C668NLWFT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:5.3mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具备60V漏源电压（VDSS）和80A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻典型值为5.3mΩ，有助于降低导通损耗，提升整体能效。低RDON与高电流承载能力使其适用于高频率开关电源设计，如同步整流、DC-DC电压转换模块及大功率负载驱动电路。器件在高电流密度和有限散热条件下仍可保持稳定性能，适合对空间布局和热管理有要求的高性能电子设备电源管理单元。
