NVMFD5C674NLWFT1G-HXY_DFN5X6B-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6B-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:35A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:11mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具备60V漏源电压（VDSS）和35A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）低至11mΩ，可显著降低大电流下的导通损耗，提升系统效率。其N沟道结构适用于同步整流、高效开关电源及电机驱动等应用，支持高频开关操作。器件可用于直流-直流转换器、电池管理系统、高功率负载开关及便携式设备电源模块，满足对功率密度和能效有较高要求的电路设计，适合需要低热耗散与紧凑布局的中高功率电子系统。
