SQ7415CENW-T1_GE3-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:49mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该P沟道场效应管具有60V漏源电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻为49mΩ，适用于中等功率的开关控制场景。其P沟道结构简化了栅极驱动设计，常用于高边开关或电源通路管理电路中。器件适合部署于电池供电设备的电源切换、便携式电子产品中的负载开关以及DC-DC电源架构的反向电流保护等应用，能够满足对电路简洁性与可靠性有一定要求的低功耗系统设计需求。
