NTMFS005N10MCLT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:100A 参数2：电压VDSS:85V 参数3：RDON:4.3mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有85V漏源电压（VDSS）和高达100A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至4.3mΩ，可有效降低大电流条件下的导通损耗，提升系统能效。N沟道结构使其在低边开关应用中具备优异的开关性能与驱动兼容性。适用于高功率密度的直流电源系统、高效电压转换模块、大电流开关电路以及电池供电的高性能电子设备中的功率控制环节，可满足对热性能和电气性能要求较高的设计需求，尤其适合需要承载大电流并维持低功耗的场景。
