DMPH6250SQ-7-HXY_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:3A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:115mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该P沟道场效应管额定漏源电压为60V，可承载3A连续漏极电流，具备115mΩ的低导通电阻，在同类器件中表现出较好的导通性能，有助于降低功率损耗。其P沟道结构适用于电压极性控制与高边开关配置，简化了栅极驱动设计。典型应用包括直流-直流电源转换电路、电池供电设备的电源管理模块、负载开关以及各类需要电平切换和功率控制的通用电子电路，适合对效率和集成度有一定要求的紧凑型电子产品设计。
