DMPH6250S-13-HXY_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:3A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:115mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该P沟道场效应管具有60V的漏源电压（VDSS）和3A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(ON)）低至115mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。P沟道设计使其在高边开关和负载开关应用中具备简化驱动电路的优势。该器件适用于需要直流电压转换、电源管理及信号切换功能的便携式设备与通用电子装置，可用于同步整流、电池供电系统的电源控制以及各类开关电路中，满足对空间和能效有要求的紧凑型设计需求。
