SIR104LDP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:100A 参数2：电压VDSS:85V 参数3：RDON:4.3mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具备85V漏源电压（VDSS）和100A连续漏极电流（ID）能力，适用于中高功率开关电路。其导通电阻为4.3mΩ，有助于降低导通损耗，提高能效表现。器件采用先进半导体工艺，具有良好的热稳定性与开关速度，适合用于大电流电源管理、DC-DC转换模块及电机控制等应用。优化的栅极设计减少了开关过程中的能量损耗，配合紧凑封装，有利于实现高密度电路集成与可靠性能。
