IPD12CN10NGATMA1-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:70A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:8.2mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这是一款N沟道场效应管，具有100V的漏源电压（VDSS）和70A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至8.2mΩ。低RDON有助于减少导通状态下的功率损耗，提升系统整体能效。该器件适用于需要高效开关和负载管理的电源系统，可用于直流-直流转换、电机驱动以及高电流电源开关等场景，其性能表现能够满足对功率密度和热管理有较高要求的应用需求。
