SIR170DP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:120A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:3.6mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具备100V漏源电压（VDSS）和高达120A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻仅为3.6mΩ。低RDON显著降低了导通损耗，有助于提高电源转换效率并减少散热需求。器件适用于高电流开关应用，如大功率电源模块、高效直流-直流变换电路、电池管理系统中的功率控制，以及对能效和热性能要求较高的设备。其电气特性支持稳定可靠的功率传输与管理。
