NTMFS4D2N10MDT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:120A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:3.6mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有100V漏源电压（VDSS）和120A连续漏极电流（ID）能力，适用于高电流开关场景。其导通电阻低至3.6mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统能效。采用先进工艺技术，具备优良的热稳定性和开关特性，适合用于高性能电源转换、大功率DC-DC变换器及电池管理系统中的功率控制。器件结构优化，支持高密度布局，有助于提升整体电路的功率密度与运行可靠性。
