FDBL86063-F085-HXY_TOLL_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TOLL 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2000/圆盘 参数1：电流ID:300A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:2mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管具备100V漏源电压（VDSS）和高达300A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至2mΩ，显著降低大电流下的功率损耗。其优异的电学性能可支持高效率能量转换，适用于高功率密度的同步整流、电池供电系统及大电流直流开关电路。低RDON特性有助于减少发热，提升系统热稳定性，满足对电流承载能力和能效表现有严苛要求的应用场景，是处理极高电流负载的常用器件方案之一。
