BSC050N10NS5-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:100A 参数2：电压VDSS:85V 参数3：RDON:4.3mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有85V漏源电压（VDSS）和100A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至4.3mΩ。低RDON有助于减小导通损耗，提升系统能效并降低温升。适用于高功率密度的电源转换应用，如大电流开关电源、高效直流-直流变换器、电池供电设备的功率控制以及电机驱动电路。其电气性能支持稳定可靠的高电流开关操作，适合对热管理和电能利用率有较高要求的电子系统。
