IAUC100N10S5N040-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:120A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:3.6mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管具有100V的漏源电压（VDSS）和120A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至3.6mΩ，在高电流开关应用中可有效降低导通损耗。其低RDON特性有助于提升系统效率，减少散热需求，适用于对功率密度和能效要求较高的直流电源转换、大电流负载开关及高性能数字电源等场景。器件参数符合主流同步整流与电池管理系统的性能需求，是处理大电流脉冲和持续负载的理想选择之一。
