SIR668DP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:120A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:3.6mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管具有100V的漏源击穿电压（VDSS）和120A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）为3.6mΩ，有助于降低导通损耗并提升整体能效。其低电阻特性在高电流工作条件下可减少发热，改善热管理。适用于大功率电源转换、高效率直流-直流变换器、电池管理系统及高电流开关电路。器件性能满足对功率密度和稳定性要求较高的应用需求，适合用于需要可靠控制和高效能量传输的电子系统中。
