DI100N10PQ-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:120A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:3.6mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具备100V漏源电压（VDSS）和高达120A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻仅为3.6mΩ，显著降低导通损耗，提升系统整体能效。低RDON特性使其在大电流工作条件下仍能保持较低温升，适用于高功率密度设计。器件适用于各类高效开关电源、直流电机驱动、电池供电设备及大功率转换模块，可有效改善热性能与效率表现，是高性能功率开关应用中的典型场效应管解决方案。
