IPD70N10S3-12-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:70A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:8.2mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有100V的漏源电压（VDSS）和70A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至8.2mΩ，在高电流开关应用中可有效减少传导损耗。其低RDON特性有助于提升系统效率，降低温升，适用于对功率密度和能效要求较高的场合。器件采用标准封装，便于集成于各类电源管理电路中，广泛用于直流-直流转换、电机驱动控制及高密度电源模块等场景，是实现高效开关操作的典型选择。
