2SK1971-E-HXY_TO-3P_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-3P 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:28A 参数2：电压VDSS:500V 参数3：RDON:150mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有500V的漏源电压（VDSS）和28A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为150mΩ，适用于中高电压开关应用。其较高的耐压能力适合工作在高压电源环境中，能够有效支持开关电源中的功率控制需求。器件在快速开关过程中表现出良好的稳定性和较低的导通损耗，常用于反激式或正激式转换拓扑中，适用于高压直流变换、电源适配器、LED驱动电源及各类功率因数校正（PFC）电路，是高压功率开关应用中的典型选择。
