FDMS86181E-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:120A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:3.6mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管具有100V的漏源电压（VDSS）和120A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至3.6mΩ，在高电流开关应用中可有效减少传导损耗。其低RDSON特性有助于提升系统效率并降低温升，适用于对功率密度和能效要求较高的场景。器件采用标准封装，便于集成于各类电源管理电路中，广泛用于同步整流、DC-DC转换、电机驱动及高电流负载开关等应用，是高性能功率开关的理想选择之一。
