IXFH34N65X2-HXY_TO-247_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:43A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:75mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和43A的连续漏极电流（ID），适用于中高功率开关场景。其导通电阻（RDS(on)）低至75mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。器件采用标准封装，便于集成于各类电源管理电路中，常用于交直流转换、直流电机驱动及功率因数校正等应用。高耐压与大电流能力结合较低的导通损耗，使其在持续负载条件下仍可保持稳定性能，满足对效率与可靠性有较高要求的设计需求。
