NVHL095N65S3F-HXY_TO-247_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:43A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:75mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和43A的连续漏极电流（ID），适用于高电压与大电流切换场景。其导通电阻低至75mΩ，在高频开关应用中可有效减少导通损耗，提升系统效率。器件采用标准封装，具备良好的热稳定性和可靠性，广泛用于电源转换、电机驱动及直流变换电路中，适合对开关速度和功耗有较高要求的设计。参数匹配合理，有助于简化散热与驱动设计。
