TK35N65W5,S1F_TO-247_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:43A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:75mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有650V的漏源额定电压（VDSS），可支持高电压工作环境，适用于主电路开关应用。其最大连续漏极电流（ID）为43A，导通电阻（RDON）为75mΩ，在同类器件中具备较好的导通性能，有助于减少功率损耗并提升能效。器件结合高电压耐受能力与较低的导通电阻，适用于开关电源、逆变装置、电机驱动电路及高效率DC-AC转换系统等场景，适合对热稳定性和功率密度有一定要求的电力电子设计。
