IPW60R080P7-HXY_TO-247_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:43A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:75mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这是一款N沟道增强型功率场效应管，具有650V的漏源击穿电压（VDSS），可承受较高的电压应力，适用于高压开关场合。其连续漏极电流（ID）达43A，导通电阻（RDON）低至75mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。器件结合了高耐压与低导通电阻的特性，适合用于开关电源、DC-DC转换器、逆变电路及高效率功率开关模块等应用，满足对功率密度和热性能有要求的设计需求。
