IXFH34N65X3-HXY_TO-247_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:43A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:75mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管具备650V的漏源击穿电压（VDSS），可稳定工作于较高电压环境，适用于高压开关电路。其连续漏极电流（ID）可达43A，导通电阻（RDON）低至75mΩ，有利于降低导通损耗，提高系统整体效率。该器件在高耐压与低导通损耗之间实现良好平衡，适合用于开关电源、DC-DC变换器、逆变设备、高功率适配器及电力输送管理模块等应用，满足对能效和热性能有要求的电力电子设计方案。
