SPW35N60C3-HXY_TO-247_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:43A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:75mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有650V的漏源耐压（VDSS）和43A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至75mΩ，有助于降低导通损耗并提升能效。高耐压特性使其适用于中高压功率转换场景，能够承受较大的电压应力。低导通电阻在大电流工作条件下可减少发热，提高系统热稳定性。该器件可应用于开关电源、逆变装置、电机驱动模块及高效率DC-AC转换电路，适合对功率密度、转换效率和运行可靠性有较高要求的电子产品设计，为复杂电源架构提供有效的开关控制支持。
