NVHL095N65S3HF-HXY_TO-247_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:43A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:75mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和43A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至75mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。650V的耐压水平使其适用于中高功率开关场景，能够稳定应对较高的电压瞬变。低RDON特性在大电流工作条件下可有效降低发热，提高整体能效。该器件适用于各类开关电源、DC-DC转换器、逆变设备及高效率功率控制模块，适合对功率密度和热性能有较高要求的工程设计，为复杂电路提供可靠的开关控制能力。
