SI3441DV-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:3A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:60mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该P沟道场效应管具有20V的漏源耐压（VDSS）和3A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至60mΩ。较低的耐压值适用于低电压供电环境，能够有效控制功率损耗。60mΩ的低导通电阻在小电流负载下可减少发热，提升能效表现。器件采用P沟道设计，适合用于电源开关、负载切换、电池供电管理及极性反转保护等电路，常见于便携式电子设备和直流电源分配系统中，为低压直流应用提供可靠的开关与保护功能。
