NVMFS6B05NLT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:100A 参数2：电压VDSS:85V 参数3：RDON:4.3mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这是一款N沟道场效应管，具有85V的漏源电压（VDSS）和100A的连续漏极电流（ID）能力，适用于高功率密度设计。其导通电阻低至4.3mΩ，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。该器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和开关特性，适合用于大电流开关电源、直流电机驱动、电池供电设备及高效率电源转换模块等场景，是实现高效功率控制的理想选择之一。
