IPT022N10NF2SATMA1-HXY_TOLL_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TOLL 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2000/圆盘 参数1：电流ID:300A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:2mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具备100V漏源电压（VDSS）和高达300A的连续漏极电流（ID）能力，适用于高功率应用场景。其超低导通电阻仅为2mΩ，有效降低导通损耗，提升系统能效。器件具有优良的开关特性和热稳定性，可支持大电流快速切换。典型应用包括高性能电源转换系统、大功率直流变换器、储能设备中的功率控制单元以及高电流电机驱动电路，适合对功率密度和效率有较高要求的复杂电子系统。
