HXYG500N06L_TOLL_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TOLL 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2000/圆盘 参数1：电流ID:500A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:0.9mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有60V漏源电压（VDSS）和高达500A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至0.9mΩ，适用于大电流、高效率的功率开关应用。其超低内阻显著降低导通损耗，有助于提升系统热稳定性与能效表现。N沟道设计配合适当的栅极驱动可实现快速开关响应，适合用于高功率直流电源转换、大电流负载开关及同步整流电路。器件优异的功率处理能力，适用于对电流密度和空间布局有较高要求的高性能电子系统。
