HXYG400N06L_TOLL_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TOLL 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2000/圆盘 参数1：电流ID:400A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:1.25mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有60V的漏源电压（VDSS）和高达400A的持续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至1.25mΩ，有助于减少功率损耗并提升系统效率。其低RDON特性使其适用于处理大电流的应用场景，结合较高的电流承载能力，适合用于电源管理、直流变换、电机驱动及高密度功率转换电路中。器件参数设计注重热稳定性与开关性能，可满足对效率和紧凑布局有要求的高性能电子设备需求。
