HXYG350N10L_TOLL_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TOLL 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2000/圆盘 参数1：电流ID:350A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:1.2mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具备100V的漏源电压（VDSS）和高达350A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至1.2mΩ，适用于高功率密度开关应用。其低内阻有效减少导通损耗，提升系统整体能效。N沟道结构在栅极驱动配合下可实现快速开关响应，适合用于大电流电源转换、直流电机驱动及高效率同步整流电路。器件优异的热性能和电流承载能力，支持紧凑型电源模块设计，满足对功率与空间要求严苛的高性能电子设备需求。
