HXYG300N10L_TOLL_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TOLL 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2000/圆盘 参数1：电流ID:300A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:2mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具备100V漏源电压（VDSS）和300A持续漏极电流（ID）能力，导通电阻典型值为2mΩ。较低的RDON有助于降低导通损耗，提升整体能效。器件适用于高功率密度的电源系统，如大电流开关电源、直流-直流转换模块、储能系统以及高性能计算设备的供电单元。其电压与电流参数组合适合需要高效开关性能和良好热管理的电路设计，可支持对功率传输效率和系统可靠性要求较高的应用场景。
