MBR10150CT_TO-220C_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：肖特基二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:150V 参数3：压降VF:0.8V 参数4：反向电流IR:2uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款肖特基二极管具有10安培的正向电流（IF）能力，能够在大电流应用中保持稳定性能。其额定反向电压（VR）为150伏特，适用于需要高电压耐受性的电路设计。在5安培的正向电流下，该二极管的正向压降（VF）为0.8伏特，有助于减少能量损失，提高整体效率。同时，它在150伏特时的反向漏电流（IR）为2微安，表明其在阻断状态下的电流泄漏极低。这些特性使得该二极管非常适合用于高频开关电源、适配器以及其它注重效率和可靠性的电子设备中。
