MBR10200CT_TO-220C_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：肖特基二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:200V 参数3：压降VF:0.84V 参数4：反向电流IR:1uA 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
此款肖特基二极管设计用于高效率的电流管理，其最大正向电流（IF）为10安培，能够支持大电流的应用需求。反向击穿电压（VR）高达200伏特，确保了在较高电压条件下的稳定性。在5安培的正向电流条件下，该二极管展现出0.84伏特的正向压降（VF），有助于降低电力损耗。此外，在200伏特下的反向漏电流（IR）仅1微安，体现了优异的隔离性能。因此，它非常适合用于各种需要快速开关及低能耗的场合，例如高频开关电源和便携式设备充电电路中。
