ES3J_SMC_快恢复/高效率二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMC 类别：快恢复/高效率二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IO:3A 参数2：电压VR:600V 参数3：压降VF:1.7V 参数4：反向电流IR:10uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
ES3J 快恢复/高效率二极管，采用 SMC 封装，提供 3A 的正向电流 (IF) 和 600V 的反向电压 (VR)。其正向压降 (VF) 低至 1.7V，有助于减少热耗损，提高系统效率。反向漏电流 (IR) 低至 10μA，确保在关断状态下的低功耗。最大浪涌电流 (IFSM) 可达 100A，增强了器件的耐用性和可靠性。ES3J 是高效率电源转换和开关应用的理想选择。
