C3D12065G_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：电流IO:12A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管，电流为12A，电压650V，压降1.3V。反向电流50uA，浪涌电流90A。适用于各类电子产品，具有出色的整流性能。低压降可降低功耗，高浪涌电流能应对瞬间大电流冲击，确保电路稳定可靠运行。
