ES2G_SMB_快恢复/高效率二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMB 类别：快恢复/高效率二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IO:2A 参数2：电压VR:400V 参数3：压降VF:1.25V 参数4：反向电流IR:5uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款快恢复、高效率二极管设计用于高效能电路中，具有2安培的平均正向电流（IF/A），以及最高可承受400伏特的反向电压（VR/V）。在其正常工作状态下，该二极管展现出仅1.25伏特的正向电压降（VF/V），这有助于减少能量损耗。此外，它在反向偏置条件下展示出低至5微安的反向漏电流（IR/uA），保证了在待机模式下的低功耗表现。瞬态条件下，此元件能够处理高达50安培的正向浪涌电流（IFSM/A），确保了在突发大电流情况下的可靠性与稳定性。适用于各种高性能电子设备中的整流和其他关键功能。
