ES3JBG_SMB_快恢复/高效率二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMB 类别：快恢复/高效率二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IO:3A 参数2：电压VR:600V 参数3：压降VF:1.7V 参数4：反向电流IR:5uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该款快恢复、高效率二极管具有3安培的额定正向电流（IF/A），并能承受最高600伏特的反向电压（VR/V）。其工作时的正向电压降（VF/V）为1.7伏特，有助于降低电力损耗，提升系统效率。在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）不超过5微安，确保了较低的待机功耗。此元件还具备处理高达80安培瞬时正向浪涌电流（IFSM/A）的能力，使其在应对短时过载情况时表现出色。适用于高频开关电源、逆变电路以及其它需要高效转换的应用场合。
