SS3200B_SMB_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装:SMB 类别:肖特基二极管 最小包装:3000/圆盘 参数1:电流IO:3A 参数2:电压VR:200V 参数3:压降VF:0.95V 参数4:反向电流IR:100uA 标价:欢迎咨询
分享到
产品介绍
肖特基二极管具备3A的正向电流(IF/A)承载能力,最大可承受200V的反向电压(VR/V)。其正向电压降(VF/V)为0.95V,有助于减少能量损失,提高转换效率。该二极管的反向漏电流(IR/uA)不大于100微安,在非导通状态下有效降低了功耗。瞬时峰值电流(IFSM/A)达到70A,能够应对突发的大电流冲击。这种二极管适用于高频开关电源、电池充电电路以及其它需要高效整流解决方案的应用场合。
