ES2G_SMA_快恢复/高效率二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：快恢复/高效率二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：电流IO:2A 参数2：电压VR:400V 参数3：压降VF:1.25V 参数4：反向电流IR:5uA 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款快恢复、高效率二极管具有稳定的性能，其最大正向电流IF为2A，能够承受最高400V的反向电压VR，适用于多种高压电路环境中。正向电压降VF仅为1.25V，有助于减少电力损耗，增强电路效率。在非导通状态下，反向漏电流IR低至5μA，有助于降低不必要的能耗。此外，它能够承受高达50A的瞬态峰值电流IFSM，确保了在突发电流情况下的可靠性和耐用性，适用于高频开关电源及其他注重效率与可靠性的电路设计。
