RS2M_SMB_快恢复/高效率二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMB 类别：快恢复/高效率二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IO:2A 参数2：电压VR:1000V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:5uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款快恢复/高效率二极管设计紧凑，拥有2安培的最大正向电流（IF）和高达1000伏特的反向耐压（VR），适用于多种高压场合。其正向电压（VF）仅为1.3伏特，有助于减少能量损失，提高系统效率。反向漏电流（IR）限制在5微安，显示了出色的阻断能力。此外，该二极管能够承受最高50安培的瞬时浪涌电流（IFSM），增强了其在面对电流波动时的可靠性。适用于高频开关电源、逆变器电路及其他需要快速切换和高能效的应用中。
