ES1DF_SMAF_快恢复/高效率二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMAF 类别：快恢复/高效率二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IO:1A 参数2：电压VR:200V 参数3：压降VF:0.95V 参数4：反向电流IR:5uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款快恢复/高效率二极管具有1安培的正向电流（IF）承载能力，以及高达200伏特的反向电压（VR），适合应用于需要稳定高压操作的场合。其正向电压（VF）仅为0.95伏特，在保证性能的同时减少了能量损失。反向漏电流（IR）控制在5微安，体现了良好的阻断特性。瞬态正向浪涌电流（IFSM）可达30安培，能够应对突然增大的电流冲击。这些特性使得该二极管非常适合用于要求高效能和可靠性的开关电源及整流电路中。
