ES2D_SMB_快恢复/高效率二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMB 类别：快恢复/高效率二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IO:2A 参数2：电压VR:200V 参数3：压降VF:0.95V 参数4：反向电流IR:5uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款快恢复高效率二极管设计精良，正向电流（IF）可达2A，适用于多种电路设计。其反向电压（VR）为200V，提供了可靠的高压保护能力。正向电压降（VF）低至0.95V，有助于减少能量损耗，提高系统效率。在反向偏置条件下，漏电流（IR）维持在5µA水平，展现了出色的绝缘性能。此外，该二极管还能承受最高60A的瞬时正向浪涌电流（IFSM），确保了在复杂环境下的稳健运行。适用于高频开关电源、整流以及其它注重效能与可靠性的场合。
