HC1D20065G_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：电流IO:20A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具备卓越的电气特性，其最大工作电流IF可达20安培，反向击穿电压VR高达650伏特，正向电压降VF仅为1.3伏特，能够在高频率与严苛条件下保持稳定性能。适用于需要高效能与可靠性的电路设计中，如电源转换、逆变以及其他对效率和热性能有严格要求的应用领域。
