IDH08G65C5XKSA2_TO-220H-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220H-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:8A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具备8A的最大正向电流（IF/A），能够承受高达650V的反向电压（VR/V），适合用于高压环境中的电路设计。其正向电压（VF/V）为1.3V，在确保导通的同时降低了能量损失。反向漏电流（IR/uA）为50μA，显示了其优秀的阻断性能。此外，该二极管能承受最高64A的瞬时正向浪涌电流（IFSM/A），这使得它在应对短时电流峰值方面表现优异。这些特性使其成为高频开关电源和精密电源管理系统中的理想选择，有助于提升整体系统的效率与可靠性。
