FFSB10120A-F085_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.4V 参数4：反向电流IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款碳化硅二极管具有10A的正向电流（IF/A）处理能力，以及高达1200V的反向电压（VR/V），适用于高耐压和中等电流的应用场合。其正向电压降（VF/V）为1.4V，在高效能操作时可减少电力损耗。反向电流（IR/uA）为100微安，表明在非导通期间有良好的阻断性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达90A，使得该二极管能够在短时间内承受电流峰值，适用于需要可靠阻断能力和快速恢复特性的电路设计。
