IDWD30G120C5_TO-247-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：30/管装 参数1：电流IO:30A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.5V 参数4：反向电流IR:250uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具备30安培的正向电流(IF)承载能力，同时支持高达1200伏特的反向电压(VR)，适合用于需要高压稳定性的电路设计。其正向电压(VF)为1.5伏特，有助于降低能量损失。反向漏电流(IR)为250微安，展示了良好的阻断特性。此外，该二极管能够承受121安培的瞬态正向浪涌电流(IFSM)，表明其在面对电流峰值时依然可靠。这些特性使其成为追求高效能与低功耗应用的理想选择。
