STPSC4H065D_TO-220H-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220H-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:4A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具有4A的正向电流（IF/A）和650V的反向电压（VR/V），能够在高压环境下稳定工作。其正向压降（VF/V）仅为1.3V，在保证性能的同时降低了能耗。该二极管的反向漏电流（IR/uA）控制在50微安以下，显示出良好的阻断特性。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达23A，适合于需要承受短时大电流冲击的应用场合。此元件凭借其出色的电气特性，适用于多种电路保护及高效能转换场景中。
