FFSD1065B-F085_TO-252-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF/A），能够承受最高650伏特的反向电压（VR/V）。在其正向导通状态下的电压降（VF/V）仅为1.3伏特，有助于减少能量损耗。此外，该二极管在反向偏置条件下展示出微安级别的极低反向漏电流（IR/uA：50），表明其拥有良好的阻断性能。峰值瞬态电流（IFSM/A）可达80安培，适用于高频开关及电源整流等要求苛刻的应用中，确保了高效的电力转换与可靠的电路保护。
