SCS210ANHR_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管设计用于需要高性能和高效率的场合，具备10A的正向平均电流(IF)能力，能够承受高达650V的反向电压(VR)，确保了在高压条件下的可靠运行。其正向电压(VF)仅为1.3V，有助于降低系统能耗。该二极管还具有低至50μA的反向漏电流(IR)，减少了不必要的能量损失。最大浪涌电流(IFSM)可达80A，增强了对突发大电流情况的处理能力，适合应用于各种电源转换及高效能电子设备中。
